Ремонт аккумулятора DJI Phantom-3 (Phantom-4)

Контроллер собран на двух чипах - MSP430 и bq30z55.

MSP430 - центральный процессор, обслуживает связь между bq30z55 и коптером.

Подключение 2300 

Подключить ev2300 к чипу bq30z55 можно через соответствующие контакты (контрольные точки) на плате контроллера.

Обратите внимание - подключение производится параллельно на шину. Т.е. на шине будут присутствовать одно устройство SLAVE (bq30z55) и два устройства MASTER (MSP430 и ev2300).

Такое подключение допускается, но только в случае, если оба мастера не будут друг-другу мешать, т.е. будут работать с bq30z55 по очереди.

В виду этого, необходимо строго соблюдать правило:

Любое чтение-запись чипа bq30z55 производить при ВЫКЛЮЧЕННОМ MSP430 (выключенная кнопкой управления батарея, индикаторы не светсятся)

Но! Если вам необходимо прочитать SBS данные с аккумулятора, когда он включен - вы можете это сделать, если понизите до минимума скорость чтения шины (Основное окно программы, Вкладка SBS, слева внизу ползунок - передвинуть влево).

 

Итак - аккумулатор:

=========================

Brand name: DJI
Model name: Phantom-3
Design Capacity: 2240
Design Voltage: 15200
Manufacture date: 2016.04.14
Serial Number: 11578
Manufacturer name: COSLTSUN
Device name: DJ01
Device chemistry: LION
ChemistryID (forTI): 3260
Full Charge Capacity: 280
Charging Current: 0
Charging Voltage: 0
Cycle Count: 2
Status: Bad

Chip detected: bq30z55
H/W Version: 0550
F/W Version: 0036

=========================

 

Последовательность действий для ремонта:

1) Прочитать Статические данные.

Программа должна продетектировать чип и написать его модель, версию HW и версию FW.

2) Выполнить процедуру получения доступа к режиму программирования чипа.

  • Остановите чтение данных. (Нажать кнопку [Stop Read])
  • Нажать кнопку [Unseal]

Программа должна показать в строке состояния "Pack is Unsealed, FAS = OK", во время этой процедуры, программа автоматически очистит все флаги ошибок.

Если этого не произошло - повторите попытку. Если повторение не даёт результат - свяжитесь с автором программы.

Исходное состояние:

Батарея выключена, чтение чипа стабильное.

Напряжения ячеек, не соответствуют реальным значениям, присутствует ток заряда  в цепи аккумулятора, равный 36 мА. Это ошибки чипа. Датчик тока и напряжений не откалиброваны.

Результат процедуры Unseal на картинке ниже.

image1

В процессе работы с чипом, вам неоднократно прийдётся производить reset чипа. После каждого перезапуска, чип автоматически закроется (засеалится).

Не забывайте контроллировать состояние чипа. Чип всегда должен быть Unsealed и FAS = OK.

Для продвинутых пользователей программы, есть возможность удаления флага Auto_Seal. Для этого в программе есть специальная кнопка - [Dell_Seal]. Находится на вкладке PRO в инструменте DataFlash Editor.

Перед любыми манипуляциями с содержимым памяти чипа - настоятельно рекомендую сохранить образ чипа для отката назад.

 

3) Чтение данных DataFlash.

  • На главном окне программы укажите кондицию батареи ( Хорошая - Good, Плохая - Bad, Восстановленная или Протестированная). Этот селектор автоматически будет добавлять соответствующий суффикс в имена файлов при сохранении данных, что поможет в будущем более оперативно ориентироваться в ваших "сборниках".
  • Откройте инструмент DataFlash Editor.
  • Нажмите на кнопку [Auto Detect]. Программа продетектирует чип, отобразит в нижней строке статуса Selected_Chip и Detected_Chip.
    Должно быть соответствие. В данном случае bq30z55 (FW 0036), также автоматически загрузит в панели редактора таблицу для декодирования данных чипа и  сделает кнопку чтения DataFlash активной
  • Прочитайте содержимое DataFlash нажав на соответствующую кнопку.
  • После нажатия начнётся процесс чтения данных из чипа. Удачное завершение - программа покажет содержимое в таблице. Более подробное описание этой процедуры смотрите тут.
  • Сохраните прочитанное в текстовый файл для последующего вероятного анализа (кнопка [Save_xGG]).

4) Чтение полного бинарного образа чипа. Сохранение файла SENC.

  • Переключите чип в Boot_Mode (Вкладка PRO, кнопка [Enter Boot Mode])
  • Сохраните текстовый репорт и файл SENC одним нажатием. (Кнопка [Save Report and SENC])
  • После удачного завершения чтения, программа покажет соответствующее сообщение и автоматически  созданные файлы сохранит в директории "C:\UBRT_Log\"
  • Переключите чип из режима Boot_Mode в Normal_Mode (кнопка [Exit Boot Mode])
  • При необходимости, повторите процедуру Unseal+FAS, для этого уже достаточно нажать на кнопку [Full Access] (смотреть картинку ниже), удачное выполнение - сообщение "Status: Full Access"

image20

 

5) Если у вас есть необходимость в изменени параметра FCC, то прочитайте статью о ремонте аналогичного чипа. Ссылка тут.

image22

image23 image19

  

6) Калибровка тока покоя, напряжений и тока разряда.

Перейти на вкладку Calibrate
Поставить галочку Keep_Refreshing_Measured (Select checkbox Keep_Refreshing_Measured)

Программа прочитает регистры и текущие измеренные показания всех датчиков чипа.

image2

 

Обратите внимание: все значения V_Cell отличаются от реальных.

Cell 1 = 3835 mV.
Cell 1+2 = 7649 mV.
Cell 1+2+3 = 11574 mV.
Cell 1+2+3+4 = 15448 mV.
Battery Voltage (напряжение всего пакета на входе в плату контроллера) = 15448 mV..
Pack Voltage (напряжение на выходном разъеме контроллера) = 124 mV. Это правильно, т.к в данный момент, на разъеме ничего нет и контроллер закрыл разрядные ключи.

Присутствует ток заряда  = 36 мА

В виду этого – требуется калибровка тока и напряжений.

Для калибровки нулевого показания тока - отключите от внешнего разъёма нагрузку или источник зарядного тока.

  • Нажмите на кнопку [Coloumb Counter Offset Calibration]Процедура выполняется в течении 10-20- секунд. По завершении появится сообщение Success
  • Также рекомендуется повторить процедуру Software_Board_Offset_Calibration, нажав на соответствующую названию кнопку.

После удачного завершения процедуры, ток покоя должен быть равен нулю.

image3

image4

 Далее следует выполнить калибровку напряжений ячеек.

Для этого, необходимо измерить реальные напряжения, желательно с точностью до 1 мВ.
Также необходимо создать условие, при котором на выходе контроллера будет присутствовать напряжение.

  • Первый вариант (просто, но опасно)

Для этого можно подключить внешний источник напряжения на разъём контроллера (рекомендую ограничить ток на источнике до 100-200 мА во избежание непредвиденных аварийных ситуаций из=за протекания большого тока)

 

  • Второй вариант (более безопасный) - Принудительно открыть разрядные ключи. Напряжение от стека ячеек должно появиться на выходе контроллера.

Для этого необходимо:
- Подключите мультиметр на выход контроллера для индикации напряжения.
- Установите галочку Keep_Refreshing_Registers (Select checkbox Keep_Refreshing_Registers)

image5

 

- Нажмите на кнопку Gauge_On-Off. В регистре Manufacturing_Status ячейка GAUGE должна изменить свой цвет на зелёный.
- Нажмите на кнопку Fet_Control_Mode. В регистре Manufacturing_Status ячейка FET должна изменить свой цвет на зелёный.

image6

  

 -Нажмите на кнопки DSG_FET_On-Off и CHG_FET_On-Off. Состояние регистров смотрите на картинке ниже. Чип включит разрядный и зарядный ключи, а на выходе контроллера должно появиться напряжение всего стека элементов.

Если включить  чтение всех измеренных  данных, то чип должен показать наличие Pack_Voltage.  

image7

 

Теперь можно приступить к калибровке напряжений.
Точным мультиметром измерьте напряжения:


Cell 1 = 3835 mV
Cell 1+2 = 7649 mV
Cell 1+2+3 = 11574 mV
Cell 1+2+3+4 = 15448 mV
Battery Voltage = 15448 mV
Pack Voltage = 15029 mV

И укажите их в соответствующих полях программы.

image8

 

Установите галочку под кнопкой Calibrate и нажмите на активированную кнопку.

image9

 

Через 20 секунд, вы должны увидеть сообщение Succsess
Измеренные чипом данные на картинке ниже.

image10

Значение тока равно нулю. Значения измеренных напряжений совпадают с реальными. Точность приемлемая. 

 

Калибровка реального тока разряда.
Подготовьте калиброванную нагрузку, обеспечивающую протекающий ток 2000 mA.
Можно использовать самодельные нагрузки (стабильная нагрузка), или использовать промышленные приборы для создания необходимого тока в цепи.


После подключения калиброванной нагрузки, мы можем наблюдать измеренное значение тока.


Внимание!
Конструктивная особенность батарей PH-3 :
Реальный ток разряда в два раза больше, чем измеренный чипом. Это правильно!
Токовый датчик (ограничение по мощности резистора) не может обеспечить необходимое падение напряжения для измерения протекающего тока. В связи с этим, конструкторы «обманули» контроллер. На работу батареи это не влияет.


Для правильной калибровки тока разряда, вы должны указать значение тока в два раза меньше реального.
К примеру, сейчас через нагрузку протекает ток -2000 мА. В соответствующем поле необходимо указать -1000 мА.

image11

 

После удачной калибровки, можно увидеть, что значение измеренного тока совпадает с указанным, с некоторой допустимой погрешностью.

image12

 

Калибровка температурных сенсоров производится аналогично, при необходимости.
В данном случае, калибровать сенсоры нет необходимости.

image13

 

Подготовка к финальному тестированию.

- Установите галочку Keep_Refreshing_Registers.
- Переключить управление ключами (FET = Red). Нажмите на кнопку [Fet_Control_Mode]. В регистре Manufacturing_Status ячейка FET должна изменить свой цвет на красный.
- Включить чип в нормальный режим работы (GAUGE = Red). Нажмите на кнопку [Gauge_On-Off]. В регистре Manufacturing_Status ячейка GAUGE должна изменить свой цвет на красный.
- Нажмите кнопку [Reset_Chip].

Состояние регистров должно принять вид, как на картинке ниже.

image14

 

Батарея готова к окончательному тестированию !

image15

 

 Включение батареи и параллельное чтение SBS данных.

Передвинуть регулятор скорости сканирования в левое положение.

Обратите внимание - только теперь, чип показал каким напряжением и каким током необходимо заряжать батарею.

image16

 

Подключение нагрузки (приблизительно 2000 мА).

image17

 

 

Подключен источник зарядного тока. Ток в цепи приблизительно 2500 мА.

image18

Чтение регистров показывает, что ключи заряда и разряда – открыты. Сигнал PRES -присутствует (формируется чипом MSP430).

 

Дополнение, касается всех аккумуляторов DJI на базе MSP430 и(или) bq9003:

При ремонте, не рекомендуется изменять значение проектной ёмкости батареи и её серийный номер. Это может привести к конфликту между чипом MSP430 и bq30z55, или bq9003 и CPU дрона.

Всё выше-сказанное относится к программному ремонту. Но ! Не редко бывают случаи, когда происходит аппаратная поломка. Причем - это относится к заводскому браку при изготовлении PCB.

Дефект может проявляться любым образом. Причина - непропай чипа MSP430.

Решение - снять MSP430 (на брюхе есть thermal pad), зачистить и облудить контакты MSP430 и установить обратно.

 

 

Корректировка показаний уровня заряда. На примере контроллера bq8030, FW SANYO.

 

В данной статье рассматривается случай, когда после перепаковки новыми элементами с отличной от оригинала "химией", контроллер не правильно вычисляет показания уровня заряда при разряде.
Проще говоря - чип ошибается в определении уровня оставшегося заряда.

 

Исходные данные: Аккумулятор перепакован, работает.

 

1057 001

 

 

Для преведения процедуры корректировки, необходимо прочитать EEPROM и сохранить ЛОГ разряда от 100 % до отключения нагрузки.
По полученному ЛОГу, можно увидеть, что чип некорректно отображает уровень заряда на завершающей стадии разрядки.
Приблизительно на 115-й минуте, есть провал вниз, а со 125-й минуты, контроллер показывает 0%, хотя аккумулятор продолжает работать.
Для вызова необходимого инструментария, в программе следует нажать на кнопку [EDV Level]. Откроется окно пересчёта значений EMF для чипов семейства bq208xx.
В этом окне будет отображаться реальная ёмкость аккумулятора (отданная в нагрузку), которую пересчитала программа по ранее созданному ЛОГу разряда. A.FCC = 5289 mAh и/или A.FCC = 57975 mWh.

 

1057 002

 

Если нажать на кнопку [>>], то откроется окно пересчёта коэффициентов для чипов bqXXXX FW SANYO.

1057 003

 

Далее, следует загрузить в первую таблицу оригинальный файл EEPROM (ранее сохранённый).

Нажмите кнопку [Open EE_1]

1057 004

На основании полученных данных, программа пересчитает необходимые коэффициенты и пользователю необходимо только нажать на кнопку [Save EE_1], расположенную в левой части окна.

Далее, необходимо записать полученный файл EEPROM в чип и повторить цикл заряд-релаксация-разряд со снятием ЛОГа разряда.

1057 006

 

Положительный результат корректировки коэффициентов уже виден.

График разряда приобрёл более "красивый" вид. Отсутствует сильный "провал вниз", но имеет место ошибка в области 0%.

Дальнейшая, повторная корректировка - может помочь, но не всегда. Вероятно, это обусловлено значительными отличиями между данными в оригинальном EEPROM чипа и характеристиками установленных элементов при их замене.

 

В случае, если у Вас имеется другой EEPROM, от чипа, в котором были использованы такие-же элементы, как используемые Вами и график разряда был удовлетворителен, то вы можете воспользоваться методом копирования таблицы коэффициентов из второго EEPROM в первый.

Для этого необходимо:

1) Нажать на кнопку [Open EE_1] и загрузить Ваш оригинальный файл EEPROM.

2) Нажать на кнопку [Open EE_2] и загрузить второй файл EEPROM от чипа, из которого Вы хотите использовать таблицу коэффициентов.

3) Для сохранения нового файла с использованием оригинального файла EEPROM,  таблицы коэффициентов из второго файла и таблицы поправочных коэффициентов - нажмите на кнопку [Save EE_1], расположенную в правой части окна

 

Левая кнопка [Save EE_1], позволяет сохранить данные только из оригинального EEPROM и таблицы поправочных коэффициентов, полученных из ЛОГа разряда.

 

 

 

 

DataFlash and FlashRom Editor.

Предназначен для чтения, редактирования и записи данных в чипы RENESAS

На момент написания статьи, редактор поддерживает чипы:

RAJ240 045A20 (FW LGC)

 R2J240 20F020 (FW LGC).

 

Редактор открывается после нажатия на кнопку [DataFlash Editor] в основном окне программы.

 

045a20 lgc lenovo 001

 

В открывшемся редакторе, следует произвести выбор чипа из списка вручную, или произвести Авто-Детектирование.

Используйте кнопки [Manual Select] или [Auto Detect]

 

045a20 lgc lenovo 004

 

Чтение данных.

После нажатия на кнопку [Read Data Flash], появится окно с предупреждением.

Внимательно прочитайте и обратите внимание, что для чтения данных из чипа, программа автоматически переключит чип в режим Boot_Mode.

Чип будет находится в этом режиме для проведения процедуры записи.

Автоматический выход из режима Boot_Mode - не предусмотрен. Пользователь должен самостоятельно переключить чип в Normal_Mode, нажав на кнопку [Out_Boot] на вкладке PRO. 

 

045a20 lgc lenovo 005

 

Содержимое памяти чипа состоит из четырёх областей:

ROM, FlashRom, RMA и DataFlash.

ROM - область в которой хранится микрокод управляющей программы. Допускается чтение и запись.

FlashRom - область статических данных для работы микрокода. Допускается чтение, редактирование и запись.

DataFlash - область динамических данных, которые изменяются в процессе работы чипа. Допускается чтение, редактирование и запись.

RMA - обоасть для храниения слепков состояний чипа во время аварийных ситуаций (блокировок). Допускается чтение и очистка.

 

045a20 lgc lenovo 006

 

FlashRom находится на вкладках редактора Page1 - Page11 .

 

045a20 lgc lenovo 007

 

 

RMA занимает одну страницу.

 

045a20 lgc lenovo 008

 

DataFlash - на вкладках редактора DF_Page1-2 -- DF_Page11-12 .(На одной вкладке - две страницы).

Немного теории:

(Этот момент добавлю позже)

 

 

Рассмотрим пример ниже:

После чтения чипа, можно увидеть заполненные страницы DataFlash - Page1, Page2, Page3, Page4, Page5.

Страницы Page6 - Page12 - чистые.

 

Для редактирования этой области, в редакторе разрешено использовать любую из страниц с заполненными данными.

Редактор определит на какой странице производится изменение данных и скопирует полностью эту страницу в область памяти для первой страницы.

Все остальные страницы, в памяти чипа, будут затёрты.

В отличии от процедуры редактирования-записи данных в чипах TexasInstruments, для чипов Renesas, процесс записи начнётся после нажатия на кнопку [Write Data].

После окончания процедуры записи, содержимое таблицы редактора новыми данными не обновляется.

Для просмотра реального состояния памяти - нажмите на кнопку [Read Data Flash].

 

 

045a20 lgc lenovo 009

 

 

 На картинке ниже, для редактирования выбрана последняя страница DataFlash Page5.

045a20 lgc lenovo 014

 

 

 

Прочтённые данные после записи в чип. Обратите внимание, что текущая используемая страница имеет индекс Page1.

Программа записала все изменения на первую страницу.

 

045a20 lgc lenovo 015

 

Для переключения в режим нормальной работы чипа - нажмите на кнопку [Out Boot].

Если необходимо очистить флаги ошибок (убрать блокировку) - используйте кнопку [Clear_PF]

Для полного клонирования чипа, используйте кнопки Read-Write ROM-EEPROM.

 

045a20 lgc lenovo 016

 

 

Результат работы.

 

045a20 lgc lenovo 017

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Данный инструмент является расширенным редактором для чипов от TEXAS INSTRUMENTS и RENESAS fw SANYO.

 

Доступен только для лицензии Black_Label(++)

Переход к этому инструменту - нажать на кнопку [>>] в окне SANYO_Tools.

Список чипов, поддерживаемых данным инструментом.

TI_chip:            bq80201, bq8030, bq8050, bq8055, bq8055A, bq9000

RENESAS chip:  20020, 40020, 60020, 045A20

 

Рассмотрим пример использования на чипе bq9000:

 2018.03.03-16.12.36 lenovo l12s4a02 bq9000 bad

Открыть инструмент

1) Выбрать чип => bq9000

2) Нажать [Read SBS]

3) Нажать [Read EEPROM]

4) Проверить соответствие прочитанных дакнных SBS - EEPROM

2018.03.03-16.14.24 lenovo l12s4a02 bq9000 bad

В данном примере видно, что имеется несоответствие в интерпретации серийного номера и даты производства.

Следует выбрать другой вариант декодера содержимого EEPROM.

Для удобства: производить повторное чтение EEPROM - нет необходимости.

Достаточно нажать на кнопку [Load File] и открыть автоматически сохранённый файл, прочитанный ранее.

На рисунке ниже, представлены ещё несколько вариантов декодированных данных.

 

 2018.03.03-16.15.03 lenovo l12s4a02 bq9000 bad  2018.03.03-16.15.15 lenovo l12s4a02 bq9000 bad 

Оба случая имееют некорректность декодирования.

Следует использовать следующие варианты.

2018.03.03-16.15.33 lenovo l12s4a02 bq9000 bad  2018.03.03-16.21.21 lenovo l12s4a02 bq9000 repok

Визуально видно, что оба декодера совпадают по основным позициям.

Отличие есть только в полях имеющих отношение к ёмкости и токам заряда.

Для дальнейшего проведения ремонта, можно выбрать второй вариант декодера.

Следующий шаг - нажать на кнопку [Default], программа подставит первоначальные (заводские) значения в нужные поля.

2018.03.03-16.16.08 lenovo l12s4a02 bq9000 bad

Обращаю ваше внимание на две последние строки - здесь можно указать уровень текущего заряда аккумулятора после процедуры записи.

Если вас устраивают автоматически подставленные данные, то можно приступить к записи в чип.

 

5) Нажмите на кнопку [Write].

Внимание !! Важное замечание:

Очень часто, встречается случай, когда в текстовых полях, встречаются стринги с пробелами.  Наличие пробела может интерпретироваться чипом, как окончание стринга, или как реальный пробел.

К примеру, в рассматриваемом случае, есть стринг "SANYO 11"

Если будет использован пробел, то в Manufacturer Name будет отображаться "SANYO 11" , но для аккумулятора необходимо отображение "SANYO".

В данном случае, на вопрос программы, необходимо ответить "ДА" -  будет использовано короткое имя для отображения.

 

124

 

Если у вас подключен аккумулятор DELL, в поле Manufacturer Name , часто должно отображаться "длинное" имя с пробелом. В этом случае, необходимо выбрать "НЕТ".

 

Удачное завершение записи завершается следующим сообщением ( смотреть в нижней части картинки).

Если в чипе была блокировка (LOCK, PF), то программа автоматически удалит флаг блокировки после нажатия на кнопку [Write].

 

2018.03.03-16.16.22 lenovo l12s4a02 bq9000 bad

Результат работы :

2018.03.03-16.17.06 lenovo l12s4a02 bq9000 repok

 

Ускоренный вариант ремонта ( Read + Read + Default + Write ) - окончен !

 

 

 

 

P.S.

"Тонкое" редактирование 

Sanyo_PRO помогает производить изменение базовых параметров DataFlash чипа.

Изменять эти параметры без крайней необходимости - не рекомендуется.

Причина простая - не все ноутбуки корректно воспринимают такое изменение.

К примеру, если поменять имя производителя, то с вероятностью более 50% - ноутбук откажется работать с таким аккумулятором. Тоже самое может произойти при изменении проектной ёмкости, зарядного тока или напряжения для заряда.

Но в некоторых случаях, крайне необходимо произвести такое изменение. К примеру - при замене чипа на аналогичный.

 

Данный инструмент не является однозначно правильным редактором. Это инструмент, который может помочь в редактировании и исследовании.

 

Если внимательно посмотреть на список параметров, то можно увидеть, что некоторые из них, отображены по несколько раз.

2018.03.03-16.21.21 lenovo l12s4a02 bq9000 repok

Дело в том, что в EEPROM чипов, хранится несколько значений и чип (по неизвестному алгоритму) выбирает - с какой ячейки памяти следует использовать нужное значение.

Подробно остановлюсь на нескольких сложных моментах:

Проектная емкость (Design Capacity)  - может храниться в четырёх ячейках в виде мАч и столько-же ячеек памяти отведено для мВтч.

Декодер показывает значения из всех ячеек. Инженер-ремонтник должен самостоятельно определить - какую ячейку следует редактировать. Для этого смотрите - что отвечает чип через команды SMBus. Если чип отдавал в статических данных DC = 2200 mAh, то следует изменять только это значение в EEPROM и соответствующее значение ёмкости 3256 в mWh также. Остальные значения относящиеся к проектной ёмкости , менять не следует.

Ёмкость полного заряда ( Full Charge Capacity)  - отображается чипом через SMBus двумя способами, но хранится в чипе в виде одного из параметров, т.е. или в виде mAh, или в виде mWh. Программа сама определяет - в каком виде хранится FCC и отображает нужную ячейку EEPROM.

Ток заряда (Charging Current) .... Некоторые чипы, в течении периода заряда могут самостоятельно изменить это значение (управление умным чаржером). Программа показывает значения ячеек, которые могут быть использованы чипом. Не редко бывают случаи, когда в EEPROM чипа записано увеличенное в два раза значение тока. На картинке представленной выше, видно, что чип хочет получить зарядный ток 1500 мА, но в EEPROMе записано 3000 мА. Если этот пункт изменить на 2400 мА, то через SMBus, чип будет просить 1200 мА. Смотреть картинку ниже.

Напряжение заряда (Charging Voltage) - аналогично току заряда.

 2018.03.03-16.21.35 lenovo l12s4a02 bq9000 repok

 

 

 

UPD 2018.07.04

Примеры использования.

Чип Renesas 20020.

2018.06.14-11.50.27 acer ac14b13j r2j240 20020 bad

 

2018.06.14-11.50.21 acer ac14b13j r2j240 20020

 

2018.06.14-11.51.53 acer ac14b13j r2j240 20020 repok

 

Чип Renesas 045A20.

2018.07.04-11.23.45 sony vgp-bps48 045a20 good

 

2018.07.04-11.25.50 sony vgp-bps48 045a20 good

 

2018.07.04-11.26.40 sony vgp-bps48 045a20 testok

 

Lenovo ID Writer

 

Предназначен для записи в чип идентификаторов батареи , а также идентификационного ключа, который используется при аутентификации батареи ноутбуком.

Поддерживаемые чипы: bq8055A, bq9000_T1, bq9000_L1.

 

Данный инструмент вызывается нажатием на кнопку [Lenovo ID].

 

lenovo id writer 000

 

lenovo id writer 003

 

Подробное описание - по предварительному запросу.